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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia推出新款LCD偏壓電源IC,助力顯示設(shè)備實現(xiàn)高性能表現(xiàn)
  • 新聞稿
一月 09, 2024

Nexperia推出新款LCD偏壓電源IC,助力顯示設(shè)備實現(xiàn)高性能表現(xiàn)

延長智能手機(jī)和VR頭顯的電池續(xù)航時間及視頻顯示器壽命

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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
  • 新聞稿
十二月 11, 2023

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

結(jié)合銅夾片封裝和寬禁帶半導(dǎo)體的優(yōu)勢

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Nexperia成功籌集8億美元高級可持續(xù)發(fā)展掛鉤貸款
  • 新聞稿
十二月 07, 2023

Nexperia成功籌集8億美元高級可持續(xù)發(fā)展掛鉤貸款

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布成功簽署8億美元的等值高級循環(huán)信貸協(xié)議。十幾家歐洲、亞洲和國際銀行對此反應(yīng)熱烈,獲得大幅超額認(rèn)購,這體現(xiàn)了信貸市場對Nexperia的 ...

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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
  • 新聞稿
十一月 30, 2023

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

1200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源轉(zhuǎn)型

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Nexperia welcomes confirmation of Nowi acquisition
  • 新聞稿
十一月 27, 2023

Nexperia welcomes confirmation of Nowi acquisition

Nexperia welcomes the conclusion made by the Ministry of Economic Affairs and Climate Policy in ...

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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
  • 新聞稿
十一月 13, 2023

Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

此次合作將利用雙方的協(xié)同優(yōu)勢進(jìn)一步提升碳化硅(SiC)技術(shù)

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Vishay Intertechnology將以1.77億美元收購Nexperia紐波特晶圓廠
  • 新聞稿
十一月 08, 2023

Vishay Intertechnology將以1.77億美元收購Nexperia紐波特晶圓廠

收購指明工廠發(fā)展前景。Nexperia繼續(xù)直面英國政府2022年11月不當(dāng)指令。

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Nexperia超低結(jié)電容ESD保護(hù)二極管保護(hù)汽車數(shù)據(jù)接口
  • 新聞稿
十月 11, 2023

Nexperia超低結(jié)電容ESD保護(hù)二極管保護(hù)汽車數(shù)據(jù)接口

可靠的保護(hù)器件可大幅降低對信號完整性的影響

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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
  • 新聞稿
十月 10, 2023

Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

雙方就SiC模塊的合作進(jìn)一步提升了模塊緊湊度和功率密度

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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高功率負(fù)載開關(guān)
  • 新聞稿
九月 27, 2023

Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高功率負(fù)載開關(guān)

采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝,并集成BJT和電阻,加倍節(jié)省空間

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