新聞稿
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的 可靠重復(fù)雪崩性能
雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡化汽車電磁閥控制電路。
閱讀更多Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的無引腳CAN-FD保護(hù)二極管,具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能
兼容AOI;出色的RF性能
閱讀更多Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動(dòng)器
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間;可焊性側(cè)面可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)并提高可靠性
閱讀更多Nexperia全新車用TrEOS ESD保護(hù)器件兼具高信號(hào)完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可保護(hù)信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)
閱讀更多Nexperia“Power Live”在線研討會(huì)于2020年7月2日和3日正式上線
參與有關(guān)GaN、鍺化硅、汽車應(yīng)用、先進(jìn)封裝等等主題的現(xiàn)場(chǎng)討論;觀看點(diǎn)播視頻演示
閱讀更多Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
相比現(xiàn)有SMD器件可節(jié)省90%空間,支持AOI檢測(cè)
閱讀更多Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
閱讀更多Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性,能夠節(jié)省空間
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120 V、150 V和200 V設(shè)備兼具肖特基和快速恢復(fù)二極管的最佳屬性
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