新聞稿
Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅(jiān)固LFPAK56封裝
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用
閱讀更多Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
采用易于使用的封裝,適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用
閱讀更多安世半導(dǎo)體CEO Frans Scheper退休 張學(xué)政就任安世半導(dǎo)體CEO
2020年3月24日,Nexperia對外宣布,Nexperia首席執(zhí)行官Frans ...
閱讀更多Nexperia推出首款支持USB4標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)器件
TrEOS二極管完全支持USB4TM標(biāo)準(zhǔn);具有低鉗位、低電容、低泄露特性,極高的魯棒性
閱讀更多Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)
領(lǐng)先的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件
閱讀更多Nexperia 針對汽車以太網(wǎng)推出具有開創(chuàng)性 并且符合 OPEN Alliance 標(biāo)準(zhǔn)的硅基 ...
分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia,今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領(lǐng)先且符合 OPEN ...
閱讀更多安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品,籍此擴(kuò)展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能
同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷
閱讀更多Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
成熟耐用的工藝、產(chǎn)能可擴(kuò)展、可批量應(yīng)用
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