基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出其電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實(shí)現(xiàn)下一代低壓手機(jī)基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個(gè)位數(shù)納米節(jié)點(diǎn)發(fā)展，先進(jìn)SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢導(dǎo)致對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標(biāo)準(zhǔn)處理設(shè)備和I/O端口（如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡）。 

NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉(zhuǎn)換器，支持主機(jī)處理器側(cè)1.08 V至1.98 V電壓等級(jí)，SIM卡側(cè)1.62 V至3.6 V電壓等級(jí)。以上工作范圍讓這兩款器件能夠適配傳統(tǒng)的Class B (3.0 V ± 10%)和Class C (1.8 V ± 10%)的電壓等級(jí)，同時(shí)還能保持與未來SIM卡接口標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級(jí)(1.2 V±10%)相兼容。NXT4557GU和NXT4556UP均具備雙向IO、單向復(fù)位和時(shí)鐘通道功能，同時(shí)其智能ONE SHOT電路可實(shí)現(xiàn)超低通道傳播延遲。兩款器件的低工作電流(8µA)和待機(jī)電流（僅為1µA）有助于盡可能延長手機(jī)電池的續(xù)航時(shí)間。集成的上拉電阻有益于進(jìn)一步降低待機(jī)模式的功耗，同時(shí)也可降低整體系統(tǒng)BOM成本并節(jié)省空間。NXT4557GU采用一個(gè)使能(EN)引腳，并使用無引腳XQFN10封裝，而NXT4556UP為自動(dòng)使能，并采用0.35mm間距的超小WLCSP9封裝。

Nexperia高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Vikram Singh Parihar表示：“如果發(fā)生系統(tǒng)崩潰或意外拆除電池，SIM卡上的電源會(huì)迅速對(duì)地放電，阻止接口器件執(zhí)行關(guān)機(jī)程序。Nexperia的NXT4557GU和NXT4556UP通過有序關(guān)閉信號(hào)來處理意外關(guān)機(jī)情況，幫助避免任何不當(dāng)寫入和數(shù)據(jù)損壞。”

有關(guān)NXT4557GU的更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊(cè)，請(qǐng)?jiān)L問：https://www.nexperia.com/products/analog-logic-ics/asynchronous-interface-logic/voltage-translators-level-shifters/NXT4557GU.html

有關(guān)NXT4556UP的更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊(cè)，請(qǐng)?jiān)L問：

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Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFETs、氮化鎵場效應(yīng)管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

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