基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低R_DS(on)和低Q_rr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Q_rr品質(zhì)因數(shù)(R_DS(on) x Q_rr)。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備，這對買方來講一個好消息。新型MOSFET的性能也令設(shè)計人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關(guān)應(yīng)用，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品。”

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低R_DS(on)，前一代100 V器件為7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。對于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Q_rr，有效降低了尖峰值和EMI干擾?？傮w而言，100 V器件的Q_rr品質(zhì)因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。

有關(guān)更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊，請訪問www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。

Nexperia：效率致勝。

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